电流-电压（I-V）测量

• 测量范围：支持10 aA（安培）至1 A的电流测量，电压范围覆盖0.2 μV至210 V。

• 分辨率：基础分辨率为100 fA，通过选配前端放大器可扩展至10 aA（亚安培级。

• 模块类型：提供中等功率（±210 V/100 mA）和高功率（±210 V/1 A）两种源测量单元（SMU），支持四象限操作和2线/4线连接。

电容-电压（C-V）测量

• 频率范围：1 kHz至10 MHz，支持交流阻抗测量（C-V、C-f、C-t。

• 偏置电压：内置±30 V直流偏置，通过SMU扩展可达±210 V（420 V差分）。

超快速脉冲式I-V测量

• 脉冲参数：最大脉冲电压±40 V（80 V峰峰值），电流±800 mA，采样率200 MSa/s，分辨率5 ns。

• 波形捕获：支持瞬态波形捕获和任意波形生成（Segment ARB®模式），分段分辨率10 ns。

其他功能

• 负载电容支持：通过新型SMU模块（4201/4211-SMU）可支持高达1 μF的负载电容，适用于长电缆或高电容测试场景9。

• 低噪声设计：内置低噪声接地单元，三同轴连接支持2.6 A电流，接线柱支持9.5 A。

半导体器件测试

• 晶体管与存储器：包括MOSFET的Id-Vg/Vd测试、CMOS的阈值电压（Vth）分析、非易失性存储器的耐久性测试等。

• 功率器件：支持脉冲式I-V测试，用于评估功率器件的动态特性（如击穿电压、自热效应）。

材料特性分析

• 电化学与纳米材料：支持霍尔效应、范德堡法电阻率测量，以及纳米器件的漏电流和栅极电容分析。

• 高K介质与光伏材料：通过高精度C-V测量评估介电常数和界面特性。